Summary Box vs Typeset

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Lequel est meilleur? Summary Box ou Typeset?

Quand nous comparons Summary Box avec Typeset, qui sont tous deux des outils summarizer alimentés par l'IA, Le décompte des votes positifs favorise Typeset, ce qui en fait le grand gagnant. Le nombre de votes positifs pour Typeset est de 24, et pour Summary Box il est de 6.

Le résultat vous fait dire "hmm"? Votez et transformez cette grimace en sourire!

Summary Box

Summary Box

Qu'est-ce que Summary Box?

Summary Box utilise une véritable IA de pointe, qui est capable de résumés abstractifs. C'est-à-dire que l'IA est capable de comprendre les informations et d'écrire des résumés dans ses propres mots. Il suffit d'un clic pour résumer un article.

Typeset

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Qu'est-ce que Typeset?

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Summary Box Votes positifs

6

Typeset Votes positifs

24🏆

Summary Box Catégorie

    Summarizer

Typeset Catégorie

    Summarizer

Summary Box Type de tarification

    Paid

Typeset Type de tarification

    Free

Summary Box Technologies utilisées

Next.js
Node.js
React
Tailwind CSS
Vercel

Typeset Technologies utilisées

Amazon Web Services
jQuery
Bootstrap

Summary Box Tags

AI
abstractive summaries
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one-click
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Typeset Commentaires

Sara Sara
The simulation model validated experimental J-V and external quantum efficiency (EQE) to demonstrate an improvement in perovskite (PSK) solar cell (PSC) efficiency. The effect of interface properties at the electron transport layer (ETL)/PSK and PSK/hole transport layer (HTL) was investigated using the Solar Cell Capacitance Simulator (SCAPS). The interfaces between ETL, PSK, and HTL were identified as critical factors in determining high open-circuit voltage (Voc) and FF. In this study, the impact of two types of interfaces, ETL/PSK and PSK/HTL, were investigated. Lowering the defect density at both interfaces to 102 cm−2 reduced interface recombination and increased Voc and FF.The absorber layer defect density and n/i interface of perovskite solar cells were investigated using the Solar Cell Capacitance Simulator-1D (SCAPS-1D) at various cell thicknesses. The planar p-i-n structure was defined as PEDOT:PSS/Perovskite/CdS, and its performance was calculated. With a defect density of <1014 cm−3 and an absorber layer thickness of >400 nm, power conversion efficiency can exceed 25%. The study assumed a 0.6 eV Gaussian defect energy level beneath the perovskite's conduction band, which has a characteristic energy of 0.1 eV. These conditions produced the same result on the n/i interface. These findings place constraints on numerical simulations of the correlation between defect mechanism and performance

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